ニュース記事 2021.08.29

イスラエルの窒化ガリウム（GaN）デバイスを開発するVisICが約38億円の資金を調達

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窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスを開発するイスラエルのベンチャー企業VisICが、シリーズFで35m$（約38億円）の資金調達を実施した。

今回の資金調達は、Fast Semi Corporationを通じて、Golden Sand Capital （金沙江资本）とHG Semiconductors（宏光半导体）が主導する資金調達ラウンドで実施された。今回の資金調達は、増加する自動車顧客からの強い需要をサポートすることが目的となっている。

期待されるGaNベース半導体デバイス

VisIC Technologiesは2010年にイスラエルで設立されたベンチャー企業である。台湾のTSMCとも連携したGaN製造プロセスを開発。主に自動車用GaNデバイスを提供している。

GaNは窒化ガリウムをベースとした半導体パワーデバイスで、次世代の半導体デバイスとして注目されている。海外の調査会社によると¹⁾、GaNパワーデバイスの市場規模は2019年に1億130万ドル、2027年までに12億4490万ドルに達し、実に11倍にも成長する。

一般に、GaNデバイスはノーマリーオフのDモードとノーマリーオンのEモードという2つの種類の技術軸がある。

従来のSi MOSFETや、Si IGBTは基本的にはノーマリーオフ動作と言われ、ゲートに入力信号がない場合にオフの状態となっている。一方でGaNデバイスに用いられるHEMT構造は、ノーマリーオン動作となっており、ゲート電極に負電圧を印加しなければオフにならない。なんらかの不具合でゲート電極に負電圧が印加できないと危険な状態になってしまう。

そこで、ゲートにP型GaNを形成することでGaN HEMTをノーマリーオフにしたEモードと、GaN HEMTとノーマリーオフの低耐圧シリコンMOSFETをパッケージ内で組み合わせたDモード（カスコードタイプ）が主に存在している。Eモードはスイッチング特性に優れ、産業用途やコンシューマー向けで実用化され、複数の半導体メーカーで提供している。しかし、Eモードでは高電圧でのオン抵抗や、電気自動車の急速充放電で求められるような高電圧対応が難しい。一方で、Dモードのカスコードタイプは、スイッチング抵抗ロスが大きくなるという課題もある。

VisIC Technologiesが開発している技術はDモードの一種であるダイレクトゲート駆動という方式であり、カスコード構造が持つスイッチング特性の損失を解決する。

同社の技術は高電圧・高電流に対して高効率であり、400V向けでの信頼性が高く、コンパクトで効率的なソリューションを提供するEV市場向けに開発された。現在は800V向けの更なる高電圧領域に向けた開発を進めていることを発表している。

VisIC TechnologiesのHPはこちら

【世界のパワーデバイス技術動向に興味がある方】

世界のSiC/GaNパワーデバイスベンチャー企業の技術動向や、ロングリスト調査などに興味がある方はこちらも参考。

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参考文献：
1) 2020年から2027年にかけて35.4％のCAGRで上昇するGaNパワーデバイス市場の機会, Report Oceanプレスリリース（リンクはこちら）
2) CoolGaN™ ‒ 新しいパワーのパラダイム, Infinion（リンクはこちら）
3) GaN 系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望, 国立研究開発法人科学技術振興機構低炭素社会戦略センター（リンクはこちら）

記事・コンテンツ監修

小林大三

アドバンスドテクノロジーX株式会社　代表取締役
野村総合研究所で大手製造業向けの戦略コンサルティングに携わった後、技術マッチングベンチャーのLinkersでの事業開発やマネジメントに従事。オープンイノベーション研究所を立ち上げ、製造業の先端技術・ディープテクノロジーにおける技術調査や技術評価・ベンチャー探索、新規事業の戦略策定支援を専門とする。数多くの欧・米・イスラエル・中国のベンチャー技術調査経験があり、シリコンバレー駐在拠点の支援や企画や新規事業部門の支援多数。企業内でのオープンイノベーション講演会は数十回にも渡り実施。